高熱導氮化硅基板具有高導熱、高機械強度、高電絕緣、良好的抗熱沖擊以及低膨脹等特點，其綜合性能優于目前常用的氮化鋁和氧化鋁基板。氮化硅基板在大功率電力、電子器件上有廣泛的應用前景，可應用在高鐵、新能源汽車、LED照明、風力發電和航空航天等行業。目前國內相關技術水平落后導致國內相關市場被歐、美、日等國家所壟斷。

    經過長時間研發，對材料組分設計、顯微結構調控、成型及燒結工藝等各環節控制和優化，突破了大尺寸高熱導氮化硅基板研制關鍵技術，成功研制了高穩定性高熱導氮化硅基板。目前氮化硅基板平均熱導率為95W/(m·k)，可達到120W/(m·k)，尺寸達到120×120mm2，厚度0.32mm，且外形尺寸能根據實際需求調整。同時實現了氮化硅基板的覆銅，打通了高熱導氮化硅基板批量化生產的工藝路線。目前商用氮化硅陶瓷基片的熱導率一般在80～90W/(m·k)，因此產品的性能指標能夠滿足很多人的需求。高熱導氮化硅基板的研究成功，將為國產大功率半導體器件，特別是IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的生產和研發提供有力支撐，預計將具有很強的經濟效益和社會效益。